ASMLを遥かに追い越す中国のSMEEとは?

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ASMLを遥かに追い越す中国のSMEEとは?

目次

  1. SMEEの概要と背景
  2. SMEEの成果と製品
  3. SMEEの挑戦と現状
  4. SMEEの特許と支援
  5. SMEEの市場シェアと顧客
  6. SMEEの製品ラインナップと展開
  7. SMEEの競合他社との比較
  8. SMEEの光源と光学技術
  9. SMEEの労働環境と従業員の給与
  10. SMEEの将来展望と課題

SMEE(上海微电子装备):中国のASML代替を目指す野心的プロジェクト

SMEEは、中国の野心的なプロジェクトである。中国のメディアで注目を集めており、最近の輸出規制によって特に注目を浴びている。このビデオでは、この注目されない会社について、彼らが生み出したものと現状について詳しく見ていきます。SMEEに関するEqualOceanによる詳細なプロファイルを参考にし、興味があれば追加の詳細情報を得るためにそれを強くお勧めします。それ以外の情報はほとんど中国の情報源に頼っていますので、それを考慮してください。

SMEEの概要と背景

中国の最初のリソグラフィマシンは1977年にGK-3として作られました。その2年後、JKG-3に改良され、大規模な商業生産用の国産リソグラフィマシンとなりました。GK-4のプロトタイプはその1年後の1978年に登場しました。このマシンは75mmウェーハにチップを印刷することができるコンタクトリソグラフィマシンでした。コンタクトリソグラフィは、光マスクがフォトレジストが塗られた基板と直接接触する方法です。これには利点もありますが、不良率が高いことでも知られています。コンタクトリソグラフィは1950年代にアメリカで発明され、商業化されました。中国はこの時点で20年以上遅れていました。

その後、商業技術のツリーではプロキシミティアライナーが次の段階となります。これにより、マスクと基板の間に隙間が生じます。その後はステップ・アンド・スキャンデバイス、またはステッパーを開発することを中国は試みます。1981年、中国科学院の半導体研究所は2つのプロキシミティアライナーのプロトタイプを成功裏に開発しました。1985年、6年の努力の末、中国機械電器工程研究院の第45研究所は自社製のステッパーを開発しました。195nmのGラインを使用したアメリカのGCA社製の4800DSWに"着想"を得たこのマシンは、デザインを印刷することができました。

2000年、中国は193nm波長のアルゴンフルオライトレーザーを使用したマシンの研究を開始しました。1990年に西側が最初のこのようなマシンを出荷し始めて以来、大きな技術のギャップが残っていました。政府は明らかに方針転換が必要だと考えたのでしょう。SMEEはその数年後の2002年3月に設立されました。リソグラフィは中国の第12次五か年計画の大規模な国家特別プロジェクトの中で2番目にランク付けされたため、「02スペシャルプロジェクト」と呼ばれることになりました。

この特別プロジェクトには複数の目標がありました。主な焦点は、22〜45ナノメートルプロセスチップを製造できる製造装置の開発です。その他の目標には、14〜22ナノメートルプロセスの先行研究、65〜90ナノメートル特殊プロセスでの作業、国内リソグラフィ市場の少なくとも10%のシェアを獲得すること、および国際市場を開拓しようとすることなどがあります。したがって、SMEEはこれらの目標を現実に変えるための国家のチャンピオンと見なされています。

SMEEの成果と製品

設立当初のオフィスは上海市浦東地区の上海・張江高新技術パークにありました。SMEEの半導体関連の隣人には、SMIC、グレースセミコンダクタ、およびスプレッドトラムが含まれていました。この会社は半導体製造のプロセスの重要なかつ以前から注目されていなかった部分である先行リソグラフィをターゲットにすることを決めました。この戦略は成功を収めています。SMEEの製品は現在、背面リソグラフィの国内市場の80%、グローバル市場の40%を占有しています。2019年には50台以上の製品を出荷しました。主な背面顧客には、江電グループ、台湾のASEグループ、および唐富マイクロエレクトロニクスが含まれます。

その後、SMEEはリソグラフィ用の他のニッチな半導体製品にも進出し始めました。それにはパワーデバイス、マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)、およびLEDが含まれます。LEDはこれらの中で最も有望な市場です。最後に、同社はフロントエンドへの展開を始め、それを楊子記憶および中芯国際に販売する意図があります。中芯国際はASMLとの関係がかなり固いため、おそらく楊子記憶になるでしょう。

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