自己控制刷新，提高DDR3外部记忆接口效能！

目錄

1. 介紹
2. 使用者控制刷新請求的需求
3. 啟用使用者控制刷新選項
4. 通過MMR介面進行使用者控制刷新
5. 初始化使用者邏輯
6. 使用者控制刷新寄存器
7. 發送刷新請求時的預期時序圖
8. 禁用刷新請求
9. 參考資源
10. 結語

📝 第1章 介紹

在這部影片中，我將向您展示在ERA 10 Hack記憶體控制器中如何發送使用者控制刷新請求。通常，記憶體控制器處理刷新記憶體內容的需求，但使用者控制刷新選項允許您在具體了解流量模式時決定記憶體刷新的時間。通過調整刷新操作，可以避免中斷讀寫操作，從而提高效率。

📝 第2章 使用者控制刷新請求的需求

在ERA 10 Hack記憶體控制器中，我們將使用專用的使用者控制刷新介面來執行使用者控制刷新。然而，這個介面在我們的傳統記憶體控制器中並不可用。為了執行使用者控制刷新，我們將向記憶體映射配置的註冊界面發送一個請求，也稱為MMR接口。

📝 第3章 啟用使用者控制刷新選項

在配置記憶體IP時，我們需要在一般選項卡中選擇DDR3、DDR4或LPDDR4協議，以便啟用使用者控制刷新選項。在控制器選項卡和效能選項中，選擇「使用者刷新控制」。啟用這個選項後，使用者需要發出足夠的刷新請求來滿足記憶體的需求。在轉換狀態和錯誤處理選項中，選擇MMR介面。

📝 第4章 通過MMR介面進行使用者控制刷新

在完成記憶體IP的參數設定後，MMR介面將提供額外的端口供使用者邏輯通信。這些端口支持讀和寫時序信號。在使用者邏輯中，請求信號始終為低電平。這種創新方式可以支持回壓。最後，在成功進行清零操作後，使用者才能訪問MMR介面。

📝 第5章 初始化使用者邏輯

使用者邏輯需要通過這些端口與MMR介面進行通信。為了支持讀和寫時序信號，將兩個信號連接到地線。請求信號始終保持低電平。這樣，當壓力加大時，創新器可以提供支持。

📝 第6章 使用者控制刷新寄存器

使用者控制刷新寄存器用於初始化使用者控制刷新。寄存器的地址以十六進位值列出。設置配置寄存器可以啟用使用者刷新。這個字段對應於地址1 9位的第四位。

📝 第7章 發送刷新請求時的預期時序圖

以下是將刷新請求發送到第0等級後的預期時序圖。

1. 首先，將寫入轉換的使用者刷新任意位元組設置為數據位元0。
2. 然後，將MMR刷新請求位元組填入數據位元1，發送刷新請求到第0等級。
3. 等待32個時鐘周期。
4. 然後，查看MMR刷新確認位元組以檢查刷新操作是否進行中。
5. 預期時序圖還顯示了讀數據位元組和刷新資料位元組的預期值。

📝 第8章 禁用刷新請求

要禁用刷新請求，只需將MMR刷新請求位元組設置為數據位元0即可。

📝 第9章 參考資源

如需更多資訊，請參考外部記憶體介面IP使用者指南。

📝 第10章 結語

感謝您觀看這段影片。如果您有任何問題或需要進一步說明，請隨時與我們聯繫。祝您使用ERA 10 Hack記憶體控制器順利！